[发明专利]一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法无效
申请号: | 201110215034.9 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN102903608A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 康香宁;付星星;章蓓;于彤军;陈志忠;吴洁君;杨志坚;张国义 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C30B33/08;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法,该方法包括:首先清洗蓝宝石衬底,并在其表面蒸镀一层金属铝膜;同时制备具有纳米结构的模板,通过压印或刻蚀在铝膜上产生相应的图形;放入电解质溶液中进行阳极氧化,直至铝膜表面的颜色发生明显变化且电流降至0为止,进行通孔,在氧化铝层上获得图形化纳米结构;然后淀积一层金属镍;放入强碱溶液中溶解掉氧化铝层,在蓝宝石衬底上得到金属镍纳米点阵;以上述的金属镍点阵为掩膜刻蚀蓝宝石,在蓝宝石衬底上获得深度可控的纳米结构阵列。本发明利用阳极氧化铝的方法在蓝宝石上获得高有序的纳米结构阵列。与现有技术相比,本发明制备过程简单,重复性好,成品率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 图形 蓝宝石 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法,其步骤包括:1)清洗蓝宝石衬底,并在其表面蒸镀一层金属铝膜;2)制备具有纳米结构的模板,利用压印或刻蚀技术,在所述金属铝膜上形成与模板相对应的图形;3)将带有金属铝膜的蓝宝石衬底放入电解质溶液中进行阳极氧化,在氧化铝层上获得图形化纳米结构;4)进行丙酮、酒精、去离子水清洗,然后在氧化铝层上淀积一层金属镍;5)放入强碱溶液中溶解掉氧化铝层,在蓝宝石衬底上得到金属镍纳米点阵;6)以上述的金属镍点阵为掩膜刻蚀蓝宝石,在蓝宝石衬底上获得深度可控的纳米结构阵列,同时去除残留的金属镍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110215034.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:调冲程快速拆装的曲柄销
- 下一篇:一种新型曲轴
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造