[发明专利]具有延伸阱的非易失性存储器单元

摘要

本发明涉及具有延伸阱的非易失性存储器单元。一个实施例涉及一种存储器器件。所述存储器器件包括具有第一电容器平板和第二电容器平板的电容器，其中第一和第二电容器平板通过绝缘层分开并且被形成在半导体衬底的第一部分之上。所述存储器器件还包括具有源极区、漏极区和栅极区的晶体管，其中所述栅极区耦合到第二电容器平板。所述晶体管被形成在所述半导体衬底的第二部分之上。阱区设置在所述半导体衬底的第一和第二部分中并且具有与所述半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂类型。还公开了其他实施例。

主权项

一种存储器器件，包括：具有第一电容器平板和第二电容器平板的电容器，其中第一和第二电容器平板通过绝缘层分开并且被形成在半导体衬底的第一部分之上；具有源极区、漏极区和栅极区的晶体管，所述栅极区耦合到第二电容器平板；其中所述晶体管被形成在所述半导体衬底的第二部分之上；以及设置在所述半导体衬底的第一和第二部分中并且其掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相反的阱区。