[发明专利]混合式薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板有效
| 申请号： | 201110215298.4 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102280491A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 谢秀春;陈亦伟;邱大维;陈崇道 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;王颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种混合式薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板。混合式薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一半导体层，第一半导体层位于第一栅极以及第一源极与第一漏极之间，且第一半导体层包括结晶硅层。第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及第二半导体层，第二半导体层位于第一栅极以及第一源极与第一漏极之间，且第二半导体层包括金属氧化物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 混合式 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种混合式薄膜晶体管，其特征在于，包括：一第一薄膜晶体管与一第二薄膜晶体管；该第一薄膜晶体管，其包括：一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极；以及一第一半导体层，该第一半导体层位于该第一栅极以及该第一源极与该第一漏极之间，其中该第一半导体层包括一结晶硅层；以及该第二薄膜晶体管，其包括：一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极；以及一第二半导体层，该第二半导体层位于该第一栅极以及该第一源极与该第一漏极之间，其中该第二半导体层包括一金属氧化物半导体材料。
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