[发明专利]主动元件及具有此主动元件的电泳显示器有效
| 申请号： | 201110215424.6 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102263135A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 丘兆仟;李明贤;彭佳添 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/167 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;王颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种主动元件，其包括一栅极、一通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一富硅氧化物保护层。栅绝缘层配置于栅极与信道层之间，源极与漏极分别与信道层接触，且信道层的部分区域未被源极与漏极所覆盖。通道层位于富硅氧化物保护层与栅极之间，而富硅氧化物保护层至少遮蔽未被源极与漏极所覆盖的信道层的部分区域，且富硅氧化物保护层的穿透率低于或等于70％。本发明另提供一种电泳显示器，其具有上述的主动元件。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 元件 具有 电泳 显示器 | ||
【主权项】：
一种主动元件，其特征在于，包括：一栅极；一通道层；一栅绝缘层，配置于该栅极与该通道层之间；一源极；一漏极，该源极与该漏极分别与该通道层接触，且该信道层的部分区域未被该源极与该漏极所覆盖；以及一富硅氧化物保护层，其中该通道层位于该富硅氧化物保护层与该栅极之间，而该富硅氧化物保护层至少遮蔽未被该源极与该漏极所覆盖的该信道层的部分区域，且该富硅氧化物保护层的穿透率低于或等于70％。
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