[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。其中，藉由两道灰阶光罩制程与剥离法来制作顶闸极型的薄膜晶体管。因此，相较于传统的薄膜晶体管制程，此方法可节省光罩及制程的成本。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含：依序形成一透明导电层、一通道层、一奥姆接触层及一第一导电层于一基板上；使用一第一灰阶光罩，形成图案化的一第一光阻层于该第一导电层上，其中该第一光阻层中具有一第一区、一第二区及一第三区，该第三区的厚度大于该第二区，该第二区的厚度大于该第一区；移除暴露的该第一导电层及其下方的该通道层、该奥姆接触层与该透明导电层；移除该第一区的该第一光阻层；移除暴露的该第一导电层及其下方的该奥姆接触层与通道层，以暴露该透明导电层做为画素电极的用；移除该第二区的该第一光阻层；移除暴露的该第一导电层及其下方的该奥姆接触层，以暴露出该信道层，该信道层两侧留下的该第一导电层分别做为源极及汲极的用；移除该第三区的该第一光阻层；形成一绝缘层于该源极、该汲极、该通道层及该透明导电层上；使用一第二灰阶光罩，形成图案化的一第二光阻层于该绝缘层上，其中该第二光阻层具有一第四区及一第五区，该第四区位于暴露出的该通道层的上方，该第四区的厚度小于该第五区；移除暴露的该部分绝缘层以形成一接触窗，以暴露出该汲极与该透明导电层的一部分；移除该第四区的该第二光阻层，以暴露出位于该源极与该汲极间的该绝缘层；形成一第二导电层于该第二光阻层、该绝缘层及该接触窗上；以及移除该第二光阻层及位于其上的该第二导电层，留下电性连接该汲极与该画素电极的该第二导电层做为桥接导电层，以及位于该源极与该汲极间的该绝缘层上方的该第二导电层做为闸极。