[发明专利]缓冲电路、具有该电路的半导体设备及其方法有效

专利信息
申请号: 201110216980.5 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN102386909A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 金锭炫 申请(专利权)人: 美格纳半导体有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;孙海龙
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及缓冲电路、具有该电路的半导体设备以及方法。半导体设备的多点低压差分信号mLVDS接收器和半导体设备的缓冲电路包括:偶数数据缓冲单元,配置为从输入数据取样偶数数据,在激活正时钟的段中放大并输出偶数数据,并在不激活正时钟的段中锁存偶数数据;和奇数数据缓冲单元,配置为从输入数据取样奇数数据,在激活负时钟的段中放大并输出奇数数据,并在不激活负时钟的段中锁存奇数数据。
搜索关键词: 缓冲 电路 具有 半导体设备 及其 方法
【主权项】:
一种半导体设备的缓冲电路,所述缓冲电路包括:偶数数据缓冲单元,所述偶数数据缓冲单元被配置为:从输入数据中取样偶数数据;在激活正时钟的段中放大并输出所述偶数数据;并在不激活所述正时钟的段中锁存所述偶数数据;和奇数数据缓冲单元,所述奇数数据缓冲单元被配置为:从输入数据中取样奇数数据;在激活负时钟的段中放大并输出所述奇数数据;并在不激活所述负时钟的段中锁存所述奇数数据。
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