[发明专利]基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201110217023.4 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN102263144A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 谢丹;冯婷婷;任天令;宋睿;田禾;李虓;吴德海;朱宏伟 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/072;H01L31/18;H01L51/42 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贾玉健 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法,在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层,在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列,在衬底背面蒸发金属作为背电极,在隔离层表面制备金属前电极,在阵列上填充半导体材料形成异质结,制得的半导体异质结太阳能电池结构简单,易于制备,不仅能有效地减少入射光的反射,而且可以增大异质结的接触面积,从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 基于 仿生 半导体 异质结 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池,其特征在于,包括单晶半导体衬底(1),单晶半导体衬底(1)上面淀积隔离层(2),单晶半导体衬底(1)背面淀积金属背电极(3),在隔离层(2)上开窗口形成有效结区,在结区中制备有仿生蛾眼阵列(4),在隔离层(2)的窗口周围淀积有金属前电极(5),在仿生蛾眼阵列(4)上制备有另一种半导体材料(6)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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