[发明专利]基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110217023.4 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN102263144A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 谢丹;冯婷婷;任天令;宋睿;田禾;李虓;吴德海;朱宏伟 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/072;H01L31/18;H01L51/42
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贾玉健
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法,在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层,在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列,在衬底背面蒸发金属作为背电极,在隔离层表面制备金属前电极,在阵列上填充半导体材料形成异质结,制得的半导体异质结太阳能电池结构简单,易于制备,不仅能有效地减少入射光的反射,而且可以增大异质结的接触面积,从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。
搜索关键词: 基于 仿生 半导体 异质结 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池,其特征在于,包括单晶半导体衬底(1),单晶半导体衬底(1)上面淀积隔离层(2),单晶半导体衬底(1)背面淀积金属背电极(3),在隔离层(2)上开窗口形成有效结区,在结区中制备有仿生蛾眼阵列(4),在隔离层(2)的窗口周围淀积有金属前电极(5),在仿生蛾眼阵列(4)上制备有另一种半导体材料(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110217023.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top