[发明专利]一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器

摘要

本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10)；通过优化设计有源层6，使量子阱带间跃迁产生的线宽展宽因子与自由载流子吸收和带隙收缩产生的线宽展宽因子相互抵消，实现了低线宽，改善了量子阱激光器光束的质量。本发明的激光器的有源层为InxGa1-xAs材料，x＝0.33，阱宽厚度为3～5nm，中心波长λ＝980nm～1036nm，线宽较量子阱激光器线宽降低了3个数量级。可以用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学研究等领域。

主权项

一种低线宽的F‑P腔应变量子阱激光器，其构成包括：顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10)；衬底层(1)的材料为GaAs；缓冲层(2)，厚度为100nm，材料为GaAs，掺入浓度为1×1018cm‑3的Si杂质；n型下限制层(3)，厚度为1500nm，材料为Al0.7Ga0.3As，掺入浓度为1×1018cm‑3的Si杂质；下波导层(4)，厚度为100nm，材料为Al0.3Ga0.7As；下势垒层(5)，厚度为20nm，材料为GaAs；有源层(6)，厚度为3～5nm，采用InxGa1‑xAs应变材料，x＝0.33；上势垒层(7)，厚度为20nm，材料为GaAs；上波导层(8)，厚度为100nm，材料为Al0.3Ga0.7As；p型下限制层(9)，厚度为1500nm，材料为Al0.7Ga0.3As，掺入浓度为1×1018cm‑3的Si杂质；欧姆接触层(10)，厚度为300nm，材料为Al0.7Ga0.3As，掺入浓度为1×1019cm‑3的Be杂质。