[发明专利]一种双围栅结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110217282.7 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102254948A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄如;邱颖鑫;詹瞻;黄芊芊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的晶体管具有双围栅结构，一个外围栅(outer gate)和一个内围栅(inner gate)，以及垂直半导体衬底的环状沟道区、环状的源区和环状的漏区。其中内围栅包括内围栅导电层和内围栅介质层，外围栅包括外围栅导电层和外围栅介质层。本发明提供的双围栅结构的隧穿场效应晶体管，双围栅结构具有栅控能力强、能抑制短沟道效应和亚阈特性退化和提高器件的驱动能力的优点；而采用双围栅结构的隧穿场效应晶体管的性能得到提升，即驱动能力更强和亚阈斜率更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双围栅 结构 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在半导体衬底上形成的垂直衬底的环状沟道区；在所述环状沟道区的外侧的底部形成第二种掺杂类型的的环状的漏区；在所述环状沟道区的内侧的底部形成的辅助连通漏区的第二种掺杂类型的区域；在所述环状沟道区的内部的侧面和底部形成的开口向上的槽形的环状的内围栅介质层；在所述内围栅介质层内形成的填充的圆柱形的内围栅导电层；在所述环状沟道区的外部的侧面和底部形成的开口向上的“L”形环状的外围栅介质层；在所述外围栅介质层内形成填充的环状的外围栅导电层；在所述外围栅导电层的外侧和漏区上形成的环状的第一绝缘层；在所述环状沟道区的上面形成的具有第一种掺杂类型的环状的源区；覆盖在所述源区、内围栅导电层、内围栅介质层、外围栅导电层、外围栅介质层和第一绝缘层上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层和第一绝缘层中形成的连通漏区的环状的漏电极；在所述第二绝缘层中形成的连通内围栅导电层的圆柱形的内围栅电极；连通所述外围栅导电层的环状的外围栅电极；以及连通所述源区的环状的漏电极。
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