[发明专利]MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法无效
| 申请号： | 201110217542.0 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903639A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;张彬;任万春;郭世璧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法，具有应力层的衬底的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有凹槽和开口，所述凹槽对应第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域，所述开口对应第二类型的MOS晶体管沟道区域；以所述掩膜层为掩膜对所述衬底进行离子注入，在第二类型的MOS晶体管沟道区域下方、在第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域形成应力层。可以利用同一工艺，在衬底中形成张应力、压应力，避免现有技术中需要分别在衬底中形成张应力、压应力造成的工艺繁多，生产效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 具有 应力 衬底 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有应力层的衬底的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有凹槽和开口，所述凹槽对应第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域，所述开口对应第二类型的MOS晶体管沟道区域；以所述掩膜层为掩膜对所述衬底进行离子注入，在第二类型的MOS晶体管沟道区域下方、在第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域形成应力层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110217542.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种非铂核-壳结构燃料电池催化剂及其制备方法
- 下一篇：刀具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
