[发明专利]一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料无效
| 申请号： | 201110218183.0 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102280570A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张波萍;葛振华;于昭新;刘勇 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于能源材料技术领域，特别涉及一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料，该热电材料以纯度为99.99%金属单质Bi、Cu粉及单质S粉为原料，按照化学通式CuxBi2-xS3（其中x为Cu组成元素的摩尔分数，x取值范围为0.001≤x≤0.05）配置，采用机械合金化法结合放电等离子烧结技术制备成块体材料。该方法能够简单、方便地制备出微量Cu掺杂Bi2S3块体热电材料，微量Cu进入Bi2S3晶格，提高样品的载流子浓度，优化功率因子，并且形成与基体结构共格的Cu-S纳米析出物，大幅降低热导率，使得Bi2S3基块体材料的热电性能得到大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微量 cu 掺杂 bi sub 热电 材料 | ||
【主权项】：
一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料，其特征在于：该材料的成分以纯度为99.99%金属单质Bi、Cu粉及单质S粉为原料，化学通式为CuxBi2‑xS3，其中x为Cu组成元素的摩尔分数，x取值范围为0.001≤x≤0.05。
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