[发明专利]用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法有效
| 申请号： | 201110218318.3 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102376724A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 黄志辉;蔡正原;杜友伦;蔡嘉雄;杨敦年;刘人诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如，提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件，包括：具有前表面和后表面的基板；设置在基板的前表面处的感光区；以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时，抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 背照式 图像传感器 反射层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式(B SI)图像传感器器件，包括：基板，具有前表面和后表面；感光区，设置在所述基板的所述前表面处；以及抗反射层，设置在所述基板的所述后表面上方，其中，当在小于700nm的波长处进行测量时，所述抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率和小于或等于约0.05的消光系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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