[发明专利]一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法

摘要

本发明公开一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，先进行PDP前面板的清洗烘干；均匀碳纳米管薄膜的制作；在碳纳米管上制备透明薄膜；旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影，把需要刻蚀掉的薄膜图形露出，然后以光刻胶做掩模进行刻蚀，将阵列结构制作于电场强度较强的前面板位置；用丙酮和乙醇分别对样品进行浸泡刻蚀，去除光刻胶，最后用去离子水或乙醇超生清洗，去除未被阵列覆盖的CNT，得到碳纳米管阵列结构；制备氧化镁保护层，得到碳纳米管辅助结构，最终得到场发射阵列。本发明不但能够使得冷阴极发射可以产生更多的启动电子，以降低驱动电压，而且在放电过程中有更多的电子，可提高PDP的放电效率，增强其光效。

主权项

一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、等离子体显示器前面板的清洗烘干；第二步、均匀碳纳米管薄膜的制作：首先对碳纳米管进行前处理，然后以水或乙醇或异丙醇及表面活性剂配成碳纳米管悬浊液，再超声处理，旋涂后烘干；第三步、在碳纳米管上制备一层透明薄膜；第四步、旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影，把需要刻蚀掉的薄膜图形露出，然后以光刻胶做掩模进行刻蚀，将阵列结构制作于电场强度较强的前面板位置； 第五步、用丙酮和乙醇分别对样品进行浸泡刻蚀，去除光刻胶，最后用去离子水或乙醇超生清洗，去除未被阵列覆盖的碳纳米管，得到碳纳米管阵列结构；第六步、制备氧化镁保护层。