[发明专利]沟槽制造方法及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201110218617.7 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102254817A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王硕;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽制造方法及半导体器件制造方法。根据本发明的沟槽制造方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上生长氧化物或氮化物；涂覆光致抗蚀剂；使得光致抗蚀剂形成图案；利用形成图案的光致抗蚀剂执行沟槽刻蚀；去除光致抗蚀剂；清洗；以及执行氢退火。通过采用根据本发明的沟槽制造方法，增加了去除光致抗蚀剂之后的氢退火步骤，从而对沟槽区域的上部角部分以及下部角部分进行圆角化处理，从而降低了泄漏电流并改进了半导体器件的性能，并且改进了内衬氧化物的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽制造方法，其特征在于包括：提供硅衬底；在硅衬底上生长氧化物或氮化物；涂覆光致抗蚀剂；使得光致抗蚀剂形成图案；利用形成图案的光致抗蚀剂执行沟槽刻蚀；去除光致抗蚀剂；清洗；以及执行氢退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
