[发明专利]具有矩形磁滞回线和高矫顽磁场的磁光晶体及制备方法无效
| 申请号： | 201110218916.0 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102268733A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 孙敦陆;张庆礼;罗建乔;刘文鹏;谷长江;秦清海;李为民;韩松;江海河;殷绍唐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 具有矩形磁滞回线和高矫顽磁场的磁光晶体及制备方法，晶体的化学表达式为(Y3(1-x-y)Eu3xBi3y)(Fe5(1-z)Ga5z)O12。该晶体具有高的矫顽磁场和近似矩形的磁滞回线，饱和磁化后具有高的剩磁比，在磁光器件，如光隔离器的应用中，可实现自锁，不需另加磁场，非常有利于器件的微型化和集成化。采用光学浮区法或顶部籽晶法可生长出高质量的单晶，用液相外延法和磁控溅射法在衬底基片上可分别生长出单晶和非晶薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 矩形 磁滞回线 高矫顽 磁场 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有矩形磁滞回线和高矫顽磁场的磁光晶体，其特征在于：所述磁光晶体的化学表达式为(Y3(1 x y)Eu3xBi3y)(Fe5(1 z)Ga5z)O12，其中0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。
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