[发明专利]通过形态控制修改半导体光路无效
| 申请号： | 201110218944.2 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102375178A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | J·德卢卡;J·卡戈 | 申请（专利权）人： | LSI公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光学器件包括基板和位于基板上的半导体层。光路包括半导体层，半导体层进一步包括波导芯层区域。芯层区域具有第一半导体区域，第一半导体区域具有第一类型形态和第一折射率。第一半导体区域位于半导体层的第二半导体区域附近，第二半导体区域具有第二类型形态和不同于第一折射率的第二折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 形态 控制 修改 半导体 | ||
【主权项】：
一种光学器件，包括：基板；位于所述基板上的光路，所述光路包括半导体层，所述半导体层包括波导芯层区域，所述芯层区域具有第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一类型形态和第一折射率，所述第一半导体区域邻近所述半导体层的第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二类型形态和不同于所述第一折射率的不同的第二折射率。
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