[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110219051.X 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102244134A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 吴志浩;林桂江;宋明辉;方妍妍;戴江南;陈长清;余金中;林志东 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种高效四结太阳能电池及其制作方法,提出在InP衬底上实现四结太阳能电池结构。高效四强太阳能电池包括:InP生长衬底;具有第一能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池;具有比第一能带隙大的第二能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池;具有比第二能带隙大的第三能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配的第三子电池;形成于第三子电池上,且具有比第三能带隙大的第四能带隙的组分渐变层;形成于组分渐变层上,且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙,晶格常数与衬底晶格失配的第四子电池。
搜索关键词: 一种 高效 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种高效四结太阳能电池,其包括:一InP生长衬底;一第一子电池,形成于生长衬底上,其具有第一能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配;一第二子电池,形成于第一子电池的,且具有比第一能带隙大的第二能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配; 一第三子电池,形成于第二子电池上,且具有比第二能带隙大的第三能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配;一组分渐变层,形成于第三子电池上,且具有比第三能带隙大的第四能带隙;一第四子电池,形成于组分渐变层上,且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙,晶格常数与衬底晶格失配。
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