[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201110219051.X | 申请日: | 2011-08-02 |
公开(公告)号: | CN102244134A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 吴志浩;林桂江;宋明辉;方妍妍;戴江南;陈长清;余金中;林志东 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效四结太阳能电池及其制作方法,提出在InP衬底上实现四结太阳能电池结构。高效四强太阳能电池包括:InP生长衬底;具有第一能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池;具有比第一能带隙大的第二能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池;具有比第二能带隙大的第三能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配的第三子电池;形成于第三子电池上,且具有比第三能带隙大的第四能带隙的组分渐变层;形成于组分渐变层上,且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙,晶格常数与衬底晶格失配的第四子电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种高效四结太阳能电池,其包括:一InP生长衬底;一第一子电池,形成于生长衬底上,其具有第一能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配;一第二子电池,形成于第一子电池的,且具有比第一能带隙大的第二能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配; 一第三子电池,形成于第二子电池上,且具有比第二能带隙大的第三能带隙,晶格常数与衬底晶格匹配;一组分渐变层,形成于第三子电池上,且具有比第三能带隙大的第四能带隙;一第四子电池,形成于组分渐变层上,且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙,晶格常数与衬底晶格失配。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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