[发明专利]一种含有快速开关器件的阻变型存储器单元及其制备方法无效
| 申请号： | 201110219113.7 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102270739A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;王麒;王芳;武长强;赵金石;胡智翔 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种含有快速开关器件的阻变型存储器单元，其基本单元由下电极、阻变存储功能层、中间电极、开关器件功能层、上电极和绝缘层构成，两个功能层镶嵌在三个电极之间并形成五叠层结构，三个电极和两个功能层位于绝缘层的孔洞中。本发明的优点是：制备方法简单，制作成本低，有利于存储器的集成；能够为交叉阵列存储器提供开关器件，有效抑制读串扰；能够为交叉阵列存储器提供更高的电流密度，从而减少串联开关器件对存储器件的影响；在相同的电压下，开关器件提供的电流没有存储器发生复位（Reset）所需要的电流大，而且读取电压会在开关器件的开启电压后，使读取电压撤离0V附近，提高了读取的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 快速 开关 器件 变型 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含有快速开关器件的阻变型存储器单元，其特征在于：基本单元由下电极、阻变存储功能层、中间电极、开关器件功能层、上电极和绝缘层构成，两个功能层镶嵌在三个电极之间并形成五叠层结构，三个电极和两个功能层位于绝缘层的孔洞中，各层的厚度分别为：下电极5~30nm、阻变存储功能层20~200nm、中间电极5~30nm、开关器件功能层20~200nm、上电极5~30nm、绝缘层40~300nm。
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