[发明专利]像素结构无效

专利信息
申请号: 201110219467.1 申请日: 2007-11-13
公开(公告)号: CN102253546A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 陈卓彦;李锡烈;杨敦钧;林敬桓;张志明 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/133;H01L27/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是关于一种像素结构配置于一基板上,并与一扫描线以及一数据线电性连接,像素结构具有一反射区,像素结构包括共用配线、半导体下电极、上电极、图案化介电层、反射电极以及主动元件。半导体下电极配置于反射区内的基板上,并与共用配线电性连接。上电极配置于半导体下电极上方,并与半导体下电极电性绝缘。图案化介电层配置于上电极上,并暴露出部分上电极,图案化介电层具有多个彼此不相连的微形凸起结构以暴露出部分所述的上电极。反射电极配置于图案化介电层与部分上电极上,并与上电极电性连接。主动元件电性连接于扫描线以及数据线,并与反射电极电性连接。
搜索关键词: 像素 结构
【主权项】:
一种像素结构,配置于一基板上,并与一扫描线以及一数据线电性连接,其特征在于,所述的像素结构具有一反射区,所述的像素结构包括:一共用配线;一半导体下电极,配置于所述的反射区内的所述的基板上,并与所述的共用配线电性连接;一上电极,配置于所述的半导体下电极上方,并与所述的半导体下电极电性绝缘;一图案化介电层,配置于所述的上电极上,并暴露出部分所述的上电极,所述的图案化介电层具有多个彼此不相连的微形凸起结构以暴露出部分所述的上电极;一反射电极,配置于所述的图案化介电层以及部分所述的上电极上,所述的反射电极与所述的上电极电性连接;一主动元件,配置于所述的基板上,所述的主动元件电性连接于扫描线以及数据线,且所述的主动元件与所述的反射电极电性连接。
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