[发明专利]一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法

摘要

本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法。本发明是在石墨烯基器件中采用原子层淀积方法生长氮化硼（BN），作为高k栅氧介质。生长BN可以突破目前BN靠机械剥离形成、大小难以控制、无法整合到石墨烯基电路集成工艺中的巨大难题，并且通过控制原子层淀积生长参数可以控制BN的结构与缺陷，进而能够提供多种不同石墨烯基器件应用，实现具有较高迁移率的石墨烯基场效应晶体管。

主权项

一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法，其特征在于具体步骤包括：提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成一层石墨烯；在所述石墨烯层上形成金属接触并定义源、漏电极；采用原子层淀积方法生长氮化硼，作为栅氧介质；在所述栅氧介质上形成栅电极。