[发明专利]一种3-D霍尔传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110220266.3 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102916007A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 贾晓钦 申请(专利权)人: 上海腾怡半导体有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L43/06;G01R33/07
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 邓琪
地址: 201206 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种3-D霍尔传感器及其制造方法,所述方法包括制作霍尔器件芯片;制作磁场检测电路芯片;将所述霍尔器件芯片和磁场检测电路芯片进行减薄处理;加工分别用于安装所述霍尔器件芯片以及磁场检测电路芯片的基板;将所述霍尔器件芯片以及磁场检测电路芯片一一对应地安装在所述基板上;将所述基板封装成立方体,即得到可用于实现空间磁场检测的3-D霍尔传感器。本发明使用标准半导体工艺制作霍尔器件芯片以及相关的磁场检测电路芯片,然后采用特定的3-D封装将它们组装在一起得到3-D霍尔传感器,实现三维空间磁场检测,并且比相同封装面积下的其他霍尔传感器,能够集成更大面积的霍尔器件、检测到更加微弱的磁场信号以及具有更高的磁场灵敏度。
搜索关键词: 一种 霍尔 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种3‑D霍尔传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1,制作霍尔器件芯片,该霍尔器件芯片包括霍尔器件和对应地连接在该霍尔器件上方的器件焊盘;步骤S2,制作磁场检测电路芯片,该磁场检测电路芯片包括磁场检测电路和对应连接在该磁场检测电路上方的电路焊盘;步骤S3,将所述霍尔器件芯片和磁场检测电路芯片进行减薄处理;步骤S4,加工分别用于安装所述霍尔器件芯片以及磁场检测电路芯片的基板,包括在基板上根据所述霍尔器件芯片与磁场检测电路芯片的连线要求进行布线;步骤S5,将所述霍尔器件芯片以及磁场检测电路芯片一一对应地安装在所述基板上,并使它们与基板电气接触;步骤S6,将所述基板封装成立方体,使所述霍尔器件芯片位于该立方体表面,所述磁场检测电路芯片位于该立方体内,并使所述霍尔器件芯片与磁场检测电路芯片电气连接以得到可用于实现空间磁场检测的3‑D霍尔传感器。
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