[发明专利]具有超级介面的功率晶体管的制作方法

摘要

本发明是有关于一种具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其是先在成第一导电性的基板上形成沟渠，再以载子扩散令载子进入该基板而形成一个成第二导电性的第二部，及保持第一导电性且与该第二部以晶格连续面连接的第一部，接着移除第二部部分结构以界定第三部与渠道，之后在渠道中填入第一填充材，最后在第一填充材顶面形成一个成第一导电性的源极区、成第二导电性的井区及栅极结构，即制得具有超级介面的功率晶体管。以本发明制作方法制得的功率晶体管不仅具有晶格连续的超级介面，也可控制扩散进入基板的主要载子浓度，而具有可控制且稳定的电特性。

主权项

一种具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于，所述具有超级介面的功率晶体管的制作方法包含以下步骤：(a)在一块成第一导电性的基板上形成一个沟渠；(b)以载子扩散的方式令载子经该沟渠进入该基板中，而在该基板形成有该沟渠的邻近区域转变成一个相反于第一导电性的第二导电性的第二部，及一个保持第一导电性且与该第二部以晶格连续面连接的第一部；(c)移除该第二部部分结构而形成一个成第二导电性的第三部，及一个由该第三部界定出的渠道；(d)在该渠道中填入一块第一填充材；及(e)在该第三部与该第一填充材植入载子而形成一个成第一导电性的源极区，及一个实体接触该源极区且保持第二导电性的井区，并在该第一部上形成一个包括一块介电材及一块导电材的栅极结构，而制得一个具有超级介面的功率晶体管。