[发明专利]具有厚底部介电层的沟槽式晶体管及其制作方法

摘要

本发明是有关于一种具有厚底部介电层的沟槽式晶体管，包含依序层叠且导电性两两相异的第一、二、三层体及沟槽结构，沟槽结构包括延伸至第一层体的沟槽、介电层及导电材，沟槽具有与第三层体连接的周面及与周面底缘连接的底面，介电层附着于周面与底面且包括远离第三层体的底部及自底部往上延伸且厚度较底部小的延伸部，导电材与介电层界定的渠道，本发明利用厚的底部产生较小的栅极到漏极间电容(gate to drain capacitance，Cgd)以提高元件操件速度。本发明还提供借例如光刻胶保护将成为厚底部介电层的区域的具有厚底部介电层的沟槽式晶体管的制作方法。

主权项

一种具有厚底部介电层的沟槽式晶体管，包含：一层第一层体、一层第二层体、一层第三层体，以及一个沟槽结构，其中该第一层体成第一导电性，该第二层体成相反于该第一导电性的第二导电性，并形成于该第一层体上，该第三层体成第一导电性，并形成于该第二层体上，该沟槽结构包括一个自该第三层体表面形成的沟槽、一层介电层，及一个导电材；其特征在于：该沟槽具有一面顶缘与该第三层表面连接的周面，及一面与该周面底缘连接的底面，该介电层附着于该沟槽的底面和周面而形成一个渠道，并具有一个远离该第三层体表面的底部，及一个自该底部往上延伸且厚度小于该底部的延伸部，该导电材形成于该介电层形成的渠道中而可与外界电连接。