[发明专利]一种基于注入锁定倍频器的低相噪正交压控振荡器

摘要

本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种基于注入锁定倍频器的低相噪正交压控振荡器，可应用于无线接收机集成电路中。该正交压控振荡器由两个工作在基频f0的压控振荡器，两对耦合管和一个工作在两倍频2f0的压控振荡器构成。其中耦合管和工作频率为2f0的压控振荡器一起组成了注入锁定倍频器。本发明中，相位噪声是由工作频率为f0的差分压控振荡器决定的，相位误差是由注入锁定倍频器决定的。同传统的正交压控振荡器不同，该正交压控振荡器中不存在相位噪声和相位误差的折衷关系，可以在保证高相位精度的前提下实现低相位噪声。

主权项

一种基于注入锁定倍频器的低相噪正交压控振荡器，其特征在于由两个工作在基频f0的差分压控振荡器（VCO1、VCO2）和一个注入锁定倍频器构成；其中，所述注入锁定倍频器又包括两对耦合管（M5‑M6、M7‑M8）和一个工作在两倍频2f0的差分压控振荡器（VCO3）；第一差分压控振荡器（VCO1）的负阻产生器由2个NMOS管（M1和M2）交叉耦合连接组成，第二差分压控振荡器（VCO2）的负阻产生器由2个NMOS管（M3和M4）交叉耦合连接组成，第三差分压控振荡器（VCO3）的负阻产生器由2个NMOS管（M9和M10）交叉耦合连接组成；所述两对耦合管（M5‑M6、M7‑M8）由NMOS管构成，其中，第一对耦合管（M5‑M6）的栅极接第二差分压控振荡器（VCO2）的输出，漏极接到第三差分压控振荡器（VCO3）的输出端DP，源极接第一差分压控振荡器（VCO1）的负阻产生器的2个NMOS管（M1和M2）的共源极；第二对耦合管（M7‑M8）的栅极接第一差分压控振荡器（VCO1）的输出，漏极接到第三差分压控振荡器（VCO3）的输出端DN，源极接第二差分压控振荡器（VCO2）的负阻产生器的2个NMOS管（M3和M4）的共源极。