[发明专利]高性能应变源极-漏极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110220721.X | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102479753A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 宋学昌;蔡明桓;林宪信;郑振辉;范玮寒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于制造高性能应变源极-漏极结构的方法，包括：在基板上形成栅极结构，在接近栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将凹部扩大成第二轮廓；以及实施热蚀刻，以将凹部扩大成第三轮廓；然后，在具有第三轮廓的凹部中形成源极-漏极结构。本发明还提供了一种高性能应变源极-漏极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 应变 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极结构；在接近所述栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近所述栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将所述凹部扩大成第二轮廓；实施热蚀刻，以将所述凹部扩大成第三轮廓；以及在具有第三轮廓的所述凹部中形成源极‑漏极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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