[发明专利]一种多边形截面硅梁的湿法腐蚀制备工艺

摘要

本发明公开了一种多边形截面硅梁的湿法腐蚀制备工艺，包括以下步骤：首先制备硅梁斜面；然后在形成硅梁斜面的硅片的正面生成晶棱保护层以保护硅梁斜面，尤其是保护晶棱；最后硅梁成型；作为一个总的发明构思，本发明还公开了一种多边形截面硅梁的湿法腐蚀制备工艺，包括以下步骤：首先制备硅梁斜面；然后在形成硅梁斜面的硅片的正面和反面均生成晶棱保护层以保护硅梁斜面，尤其是保护晶棱；最后硅梁成型；本发明的多边形截面硅梁湿法腐蚀制备工艺，通过在硅片表面生成晶棱侧蚀保护层，能有效抑制湿法腐蚀过程中晶棱削角，使硅梁的晶棱完整保留，提高了硅梁的力学性能；同时制备工艺操作简单，成本低廉。

主权项

一种多边形截面硅梁的湿法腐蚀制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）制备硅梁斜面：以（100）晶向的硅片作为硅梁基体，并在所述硅片的正面和反面生成掩模层；利用单面对准光刻工艺对硅片的正面进行光刻，刻蚀硅片正面的掩模层，在硅片正面得到掩模图形；在恒温碱性溶液中对含有掩模图形的硅片进行各向异性湿法腐蚀，待硅片腐蚀深度超过硅片总厚度的1/2后，形成硅片正面的腐蚀槽，去除硅片表面的掩模层，得到硅梁斜面；（2）保护硅梁斜面：在形成硅梁斜面的硅片的正面生成用于防止晶棱侧蚀的保护层，在所述的形成硅梁斜面的硅片的反面再次生成掩模层；（3）硅梁成型：利用双面对准光刻工艺对经步骤（2）处理的硅片的反面进行光刻，刻蚀硅片反面的掩模层，在硅片反面得到掩模图形；在恒温碱性溶液中对含有掩模图形的硅片再次进行各向异性湿法腐蚀，形成硅片反面的腐蚀槽，直到硅片腐蚀穿透，然后取出硅片，去除其表面的保护层和掩模层，制得多边形截面硅梁。