[发明专利]MOS-HEMT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110221372.3 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102916043A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;卢力;常虎东;孙兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种MOS-HEMT器件及其制作方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所述衬底上形成源极和漏极；依次刻蚀所述第一介质层、第一金属层、帽层和预设厚度的势垒层，形成栅沟槽；在所述衬底上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层表面，且覆盖所述栅沟槽的底部及侧壁；在栅沟槽内填充栅极材料，从而形成栅极。本发明所提供的MOS-HEMT器件制作方法，可以通过光学光刻形成深亚微米尺寸的栅极，从而可提高生产效率、降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | mos hemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS‑HEMT器件制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所述衬底上形成源极和漏极；依次刻蚀所述第一介质层、第一金属层、帽层和预设厚度的势垒层，形成栅沟槽；在所述衬底上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层表面，且覆盖所述栅沟槽的底部及侧壁；在栅沟槽内填充栅极材料，从而形成栅极。
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