[发明专利]一种单面电极晶体硅太阳能电池的制法无效
申请号: | 201110221373.8 | 申请日: | 2011-07-18 |
公开(公告)号: | CN102891210A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 刘莹 | 申请(专利权)人: | 刘莹 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种单面电极晶体硅太阳能电池的制法,其步骤主要包括激光制绒,镀钝化防反射复合膜,激光掺杂,激光制背电极等。所述激光制绒包括以激光在晶体硅太阳能电池的受光面制备绒面结构和以化学溶液去除激光损伤层。所述激光掺杂采用在真空环境中通入掺杂工艺气体然后以激光照射待掺杂晶体硅片表面。所述激光制背电极工序包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺。这种制法可以尽量避免晶体硅单面电极太阳能电池制备过程中的人为因素干扰,适合规模化生产,同时,由于整个制备过程中没有较大压力施加在硅片上,电池基片可以非常薄,低于100μm,可以突出这种太阳能电池的优势,提高转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 单面 电极 晶体 太阳能电池 制法 | ||
【主权项】:
一种单面电极晶体硅太阳能电池的制法,主要包括激光制绒,镀钝化防反射复合膜,激光掺杂,激光制背电极,其特征在于,所述激光制绒包括激光制备绒面和化学溶液去除激光损伤层两个步骤,以制备出尺寸尽量精确符合光学原理的绒面结构;所述激光掺杂是在真空环境中,在掺杂工艺气体气氛下以激光照射需要掺杂的晶体硅表面以制备理想的栅状或者梳状PN结;所述激光制背电极包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺,以免接触的方式制备其背电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的