[发明专利]改进双重通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀的方法及其器件

摘要

本发明公开一种改进双重通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀的方法，以及一种具有双通孔刻蚀停止层以提高载流子迁移速率的CMOS器件，通过改变双通孔刻蚀停止层交叠区域的宽度来避免位于双通孔刻蚀停止层交叠区上的通孔无法完全打开，是一个与现有工艺技术能够完美结合的方法。

主权项

一种改进双通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀的方法，提供具有至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管半导体基体；第一保护薄膜，覆盖在所述第一晶体管和第二晶体管上；第一通孔刻蚀停止层，覆盖在所述第一保护薄膜上，所述第一通孔刻蚀停止层位于所述第一晶体管的竖直上方，所述第一通孔刻蚀停止层与所述第二晶体管在竖直方向上无重合区域；第二保护薄膜，覆盖所述第一通孔刻蚀停止层的上表面和侧壁以及第一保护薄膜未被所述第一通孔刻蚀停止层覆盖的部分；第二通孔刻蚀停止层，覆盖在所述第二保护薄膜上，其特征在于，执行如下步骤：刻蚀去除第二通孔刻蚀停止层位于所述第一晶体管竖直方向上方的部分，使第二保护薄膜位于所述第一晶体管竖直方向上方的部分暴露，部分第二通孔刻蚀停止层与部分第一通孔刻蚀停止层在竖直方向的交叠，形成第一通孔刻蚀停止层和第二通孔刻蚀停止层在竖直方向上重合的交叠区域，所述交叠区域位于所述半导体基体的浅沟槽的竖直上方，所述浅沟槽结构的上方设置有多晶硅，所述第一通孔刻蚀停止层和第二通孔刻蚀停止层交叠区域的重合宽度大于后续在所述交叠区域上方刻蚀的通孔的直径；沉积形成层间绝缘介质覆盖所述第二保护薄膜暴露的部分、所述第二通孔刻蚀停止层剩余部分的上表面和侧壁；化学机械平坦化所述层间绝缘介质；在所述层间绝缘介质位于所述交叠区域上方的位置，采用不同的选择比依次刻蚀所述层间绝缘介质、第二通孔刻蚀停止层、第二保护薄膜、第一通孔刻蚀停止层和第一保护薄膜以形成一个所述多晶硅的第一通孔。