[发明专利]一种用于栅极相关制程及其后续制程监控的测试器件结构的其制备工艺

摘要

本发明公开了一种用于栅极相关制程及其后续制程监控的测试器件结构的制备工艺，其仅仅采用单晶硅作为衬底，并在图形化之前可以采用常用的STI叠层结构（硅衬底+二氧化硅+氮化硅+光刻胶）；其可广泛用于偏移侧墙（offsetspacer）、侧墙隔离层（spacer）、应力记忆膜（Stressmemorizationtechnique，简称SMT）、通孔刻蚀停止层（Contactetchstoplayer，简称CESL）的台阶覆盖性的检测，并可有效减少开发时间，降低开发成本，制备工艺简单易控制。

主权项

一种用于栅极相关制程及其后续制程监控的测试器件结构的制备工艺，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：提供一硅衬底，在所述硅衬底上依次沉积一衬垫氧化层和一氮化硅层，并在所述氮化硅层之上涂覆一层光刻胶；步骤S2：对所述光刻胶层进行光刻工艺，暴露出所述氮化硅层，形成位于所述氮化硅层之上的光刻胶保留结构；步骤S3：以所述光刻胶保留结构为掩膜刻蚀所述氮化硅层，暴露出所述衬垫氧化层，形成位于所述光刻胶保留结构下方的氮化硅保留结构，并移除所述光刻胶保留结构；步骤S4：以所述氮化硅保留结构为掩膜刻蚀所述衬垫氧化层和所述硅衬底，形成位于所述硅衬底中的样本栅以及覆盖于所述样本栅之上的衬垫氧化层保留结构；步骤S5：移除所述衬垫氧化层保留结构。