[发明专利]一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法有效
| 申请号： | 201110222150.3 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102427043A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法。本发明公开了一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法，通过在栅氧制备过程中，根据最后所需栅氧电性厚度目标，通过优化硅基氧化物的氧化时间来控制氧化层厚度，再通过调节去耦等离子氮化工艺的时间或功率，以及精确优化快速氮化退火工艺的时间，使得在基底氧化物层中的氮远离其与硅衬底接触面，以提高空穴的迁移率，从而改善PMOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 pmos 器件 载流子 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一硅衬底上生长基底氧化物层后，采用去耦等离子氮化工艺，氮化该基底氧化物层；步骤S2：采用快速氮化退火工艺修复去耦等离子氮化工艺时的等离子损伤及氮气泡沫调剖工艺，淀积多晶硅栅；其中, 修复后的氧化物层中的氮远离其与硅衬底的接触面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110222150.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大肉无盐保鲜加工储藏方法
- 下一篇：一种接触式IC卡全触点信号测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
