[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀方法

摘要

本发明提供一种图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀方法，该方法包括以下步骤：先主刻蚀步骤，然后进行图形轮廓修饰刻蚀步骤；所述主刻蚀步骤具体指先将表面做有周期性排列的光刻胶图形的蓝宝石衬底装入ICP刻蚀设备中，设定ICP刻蚀设备的一些工艺参数，将光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上，在蓝宝石衬底上初步形成所需的图形轮廓；所述图形轮廓修饰刻蚀步骤具体指通过再次调整ICP刻蚀设备的一些工艺参数，将主刻蚀阶段刻蚀出来的图形进一步做表面轮廓修饰处理。通过这样的刻蚀方法刻蚀出来的图形衬底，可以大大提高芯片的光提取效率。

主权项

一种图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)主刻蚀步骤：将光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上，在蓝宝石衬底上初步形成所需的图形轮廓；2)图形轮廓修饰刻蚀步骤：将主刻蚀步骤后刻蚀出来的图形进一步的做表面轮廓修饰处理；所述主刻蚀步骤具体指先将表面做有周期性排列的光刻胶图形的蓝宝石衬底装入ICP刻蚀设备中，采用BCl3气体作为刻蚀气体或BCl3和Cl2混合气体作为刻蚀气体，采用较高的ICP刻蚀设备的RF射频源功率、较低的ICP刻蚀设备的偏压射频源功率，合适的刻蚀压力，合适的He冷温度；该步骤中，所述较高的ICP刻蚀设备的RF射频源功率为ICP刻蚀设备额定功率的50％～100％；所述较低的ICP刻蚀设备的偏压射频源功率为ICP刻蚀设备额定功率的5％～50％；所述合适的刻蚀压力为0.1～2pa；所述合适的He冷温度为‑20～50℃；所述图形轮廓修饰刻蚀步骤中，采用BCl3气体作为刻蚀气体或BCl3和Ar混合气体作为刻蚀气体，采用合适的ICP刻蚀设备的RF射频源功率，采用较高的ICP刻蚀设备的偏压射频源功率，采用较低的刻蚀压力，合适的He冷温度为‑20～50℃；该步骤中，所述合适的ICP刻蚀设备的RF射频源功率为设备额定功率的30％～100％；所述较高的ICP刻蚀设备的偏压射频源功率为设备额定功率的50％～100％；所述较低的刻蚀压力为0.1～0.5pa。