[发明专利]一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法无效
| 申请号： | 201110223233.4 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102254829A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王向展;于奇;杨洪东;王微 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 盛明洁 |
| 地址： | 610054 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高弛豫度(SiGe)缓冲层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及弛豫锗硅(SiGe)缓冲层的制备方法。该方法的特征是，采用离子注入的方法，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性流动性的材料(如硼硅玻璃、或硼磷硅玻璃)；再采用高温退火，或快速热退火等退火技术，修复锗硅(SiGe)层中因离子注入而产生的晶格损伤，并使应力完全弛豫；利用硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层中间形成的材料的黏性和流动性，使得上面的锗硅(SiGe)缓冲层中的应力弛豫。采用本发明，可制作一种厚度薄，弛豫度高，表面质量好的锗硅(SiGe)缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高弛豫度 sige 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法，其特征在于所述该方法包括以下步骤：①准备硅(Si)衬底，并对其进行清洗，以便于后续工艺淀积锗硅(SiGe)缓冲层；②利用化学气相淀积工艺(CVD)，在上述硅衬底上淀积一层锗硅(SiGe)缓冲层；③离子注入，在锗硅(SiGe)缓冲层上面进行离子注入，通过离子注入穿过锗硅缓冲层，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性和流动性的材料；④高温退火，进行高温快速退火，以修复锗硅层因离子注入而产生的晶格损伤，并使工艺过程中产生的应变完全弛豫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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