[发明专利]半导体器件及其制造方法和电源设备无效
| 申请号： | 201110223629.9 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386213A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 远藤浩;今田忠纮;今西健治;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：GaN电子传输层，设置在衬底上方；第一AlGaN电子供应层，设置在所述GaN电子传输层上方；AlN电子供应层，设置在所述第一AlGaN电子供应层上方；第二AlGaN电子供应层，设置在所述AlN电子供应层上方；栅极凹槽，设置在所述第二AlGaN电子供应层和所述AlN电子供应层中；以及栅极，设置在所述栅极凹槽上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 电源 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：GaN电子传输层，设置在衬底上方；第一AlGaN电子供应层，设置在所述GaN电子传输层上方；AlN电子供应层，设置在所述第一AlGaN电子供应层上方；第二AlGaN电子供应层，设置在所述AlN电子供应层上方；栅极凹槽，设置在所述第二AlGaN电子供应层和所述AlN电子供应层中；以及栅极，设置在所述栅极凹槽上方。
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