[发明专利]一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料

摘要

本发明是一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料，是一种具有双AlAs薄插入层的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料的异质结构。其结构是在衬底层上通过分子束外延或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：未掺杂的AlGaAs缓冲层；δ掺杂层；未掺杂的AlGaAs隔离层；未掺杂的AlAs插入层；未掺杂的InGaAs沟道层；未掺杂的AlAs插入层；δ掺杂层；未掺杂的AlGaAs势垒层；未掺杂的GaAs帽层。优点：采用本发明所述外延材料制备的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，能有效的强化电子输运的二维特性，提高沟道电子迁移率，提高器件的功率附加效率（PAE）并且改善器件的线性特性。

主权项

一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管高电子迁移率晶体管的外延材料，其特征是从半绝缘砷化镓、半绝缘硅、半绝缘锗或蓝宝石中选出一种作为衬底层（1），在该衬底层（1）上通过分子束外延或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长掺杂的AlGaAs缓冲层（2）、第一δ掺杂层(3)、AlGaAs隔离层（4）、AlAs插入层（5）、InGaAs沟道层（6）、AlAs插入层（7）、第二δ掺杂层(8)、AlGaAs势垒层（9）、GaAs帽层（10）。