[发明专利]一种低电容的晶体管功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110224497.1 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102254940A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500-11500埃。本发明具有低电容、驱动功率较低、栅区不容易损坏、使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 晶体管 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500‑11500埃。
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