[发明专利]一种增加太阳电池光吸收的方法无效
| 申请号： | 201110225295.9 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102280530A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 余学功;雷东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 周丽娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加太阳电池光吸收的方法，包括：在太阳电池受光面生长一层宽禁带氧化物纳米结构，所述的宽禁带氧化物为氧化锌、二氧化钛或二氧化锡，所述的纳米结构为直径10～100nm的纳米颗粒或单根纳米棒长度为30～300nm的纳米棒阵列。本发明的增加太阳电池光吸收的方法可在较宽太阳光谱范围内实现光反射损失的显著减少，使得太阳电池的效率显著提高。本发明方法工艺简单，能耗低，且与现有太阳电池生产工艺完全兼容，适合大规模产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 太阳电池 光吸收 方法 | ||
【主权项】：
一种增加太阳电池光吸收的方法，其特征在于，包括：在太阳电池受光面生长一层宽禁带氧化物纳米结构，所述的宽禁带氧化物为氧化锌、二氧化钛或二氧化锡，所述的纳米结构为直径10～100nm的纳米颗粒或单根纳米棒长度为30～300nm的纳米棒阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
