[发明专利]SONOS器件

摘要

本发明公开了一种SONOS器件，其存储单元由一个SONOS存储晶体管和一个寄生的选择晶体管构成。由于两个晶体管的多晶硅栅极共用，可以视作为单晶体管结构。与现有的SONOS器件的存储单元相比，由于减少存储管与选择管所共用的源漏注入区，因而具有更小的面积。而由多晶硅栅极和隔离结构所形成寄生选择晶体管，不但能承受足够高的耐压，还可以获得更加快速、更高可靠性的器件性能。

主权项

一种SONOS器件，其特征是，该SONOS器件的存储单元的结构是：硅衬底中具有p阱和n阱，在p阱和n阱的分界处具有隔离结构；所述隔离结构为场氧隔离工艺或浅槽隔离工艺制造的沟槽状二氧化硅；在p阱中具有n型轻掺杂区，n型轻掺杂区紧邻隔离结构在p阱中的一侧；在n阱中具有n型重掺杂区，n型重掺杂区紧邻隔离结构在n阱中的一侧；在n型轻掺杂区和隔离结构之上为ONO层；ONO层之上为多晶硅栅极、其上方的氮化硅；在所述ONO层、多晶硅栅极及其上方的氮化硅两侧具有氮化硅侧墙；所述ONO层和多晶硅栅极都延伸到了隔离结构的上方；一侧的氮化硅侧墙在隔离结构的上方；另一侧的氮化硅侧墙在n型轻掺杂区的上方，该侧的氮化硅侧墙在外侧下方的p阱中具有n型源漏注入区。