[发明专利]一种模拟电路中的高压转低压电路

摘要

本发明公开了一种模拟电路中的高压转低压电路，包括：一钳位保护电路结构20；一正温度系数的电流(IPTAT)产生电路21；一负温度系数的电流(ICTAT)产生电路23；一缓冲输出电路25。输入端Vin通过节点1串联电阻R1到节点3，分别与钳位电路20、IPTAT产生电路21、ICTAT产生电路相连23，钳位电路的另一端连接地节点2，IPTAT产生电路和ICTAT产生电路的另一端相连形成节点10通过电阻R3连接地节点2，与缓冲输入端连接，缓冲输出端输出精准低压，缓冲输出端通过负载26连接地节点2。本发明的高压转低压电路能将模拟电路中大范围变化的输入高压(4.5V到24V)转化为稳定的零温度系数输出低压(小于4.3V)。

主权项

一种模拟电路中的高压转低压电路，其特征是，包括：一电阻R1，其一端连接输入端，另一端连接齐纳二极管D1的负极、PMOS管T5的源极、PMOS管T6的源极、PMOS管T7的源极、PMOS管T15的源极、PMOS管T16的源极和PMOS管T17的源极；一钳位保护电路，包括：齐纳二极管D1和二极管D2，齐纳二极管D1的正极连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接地节点；一正温度系数电流产生电路，包括：PMOS管T5、PMOS管T6、PMOS管T7、双极PNP晶体管T1、双极PNP晶体管T2、NMOS管T3、NMOS管T4和电阻R2；PMOS管T5的栅极、PMOS管T6的栅极和PMOS管T7的栅极相互连接；PMOS管T5的漏极与NMOS管T3的栅极连接；MOS管T3的栅极与其漏极短接，NMOS管T3与NMOS管T4管共用栅极，NMOS管T3的源极与PNP晶体管T1的发射极连接；PMOS管T6的栅极与其漏极短接，并与NMOS管T4的漏极连接，PMOS管T4的源极通过电阻R2连接PNP晶体管T2的发射极；PMOS管T7的漏极与PMOS管T17的漏极、NMOS管T10的栅极和电阻R3的一端连接，电阻R3另外一端连接地节点；PNP晶体管T1与PNP晶体管T2共基极，PNP晶体管T1的基极、PNP晶体管T2的基极与其各自的集电极短接并连接地节点；一负温度系数电流产生电路，包括：PMOS管T15、PMOS管T16、PMOS管T17、NMOS管T13、NMOS管T14、电阻R12和电阻R13；PMOS管T15的栅极、PMOS管T16的栅极和PMOS管T17的栅极相互连接；PMOS管T15的漏极连接电阻R13的一端，电阻R13的另一端与NMOS管T13的漏极、NMOS管T14的栅极连接；NMOS管T13的栅极与NMOS管T14的源极及电阻R12的一端相连，电阻R12的一端连接地节点，NMOS管T13的源极连接地节点；PMOS管T16的栅极与其漏极短接，并与NMOS管T14的漏极连接；PMOS管T17的漏极连接NMOS管T10的栅极，并通过电阻R3连接地节点；一缓冲输出电路，包括：电阻R4与高压NMOS管T10；NMOS管T10的栅极连接电阻R3的一端，电阻R3其另外一端连接地节点，NMOS管T10的漏极通过电阻R4连接输入端，NMOS管T10的源极形成输出端，并通过负载连接地节点。