[发明专利]绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201110225680.3 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102254935A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王颢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的半导体衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述半导体衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的埋层，所述埋层设置于所述基区内且位于所述阱区的下方。本发明的绝缘栅双极晶体管有利于降低绝缘栅双极晶体管的导通电阻，进而降低饱和导通压降和降低导通功耗，增强集电极电流，提高器件的负载能力。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的半导体衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述半导体衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的埋层，所述埋层设置于所述基区内且位于所述阱区的下方。
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