[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201110225828.3 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102378462A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 輿水地盐 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够根据功率生成与RF天线一一对应的等离子体，并能够任意地控制处理室内的等离子体分布的等离子体处理装置。包括：对基板(G)实施等离子体处理的可排真空的腔室(11)；在腔室(11)内载置基板(G)的基座(12)；配置成隔着基座(12)与处理空间(S)相对的电介质窗(30)；在隔着电介质窗(30)与处理空间相邻的空间内设置的多个或多重RF天线(30a、30b)；将处理气体供给处理空间(S)的气体供给部(37、36)；和将高频(RFH)施加到多个或多重RF天线(30a、30b)通过感应耦合在处理空间(S)内产生等离子体的高频电源，作为感应磁场合成机构，在与多个或多重RF天线相互间对应的电介质窗的下表面设置由电介质形成的突出部(34)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：对基板实施规定的等离子体处理的可排真空的处理室；在该处理室内载置所述基板的基板载置台；设置成隔着处理空间与该基板载置台相对的电介质窗；设置在隔着该电介质窗与所述处理空间相邻的空间内的多个或多重RF天线；将处理气体供给到所述处理空间的气体供给部；和施加高频电力到所述多个或多重高频天线，通过感应耦合在所述处理空间内产生所述处理气体的等离子体的高频电源，该等离子体处理装置具有感应磁场合成防止机构，该感应磁场合成防止机构防止与所述多个或多重高频天线对应地形成的感应磁场的合成。
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