[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110226207.7 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102254937A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件，包括如下结构：衬底；外延层，设于衬底上；阱区，由外延层背对衬底的一面延伸至外延层内部；源区，由阱区表面延伸至内部；栅氧层，设于外延层上且仅覆盖外延层的一部分；栅极区，设于栅氧层上；玻璃层，设于栅极区和阱区上，且仅覆盖栅极区和阱区的一部分；以及金属电极层，覆盖于外延层、栅极区及玻璃层上；外延层包括设于衬底上的第一外延层和设于第一外延层上的第二外延层；第一外延层的多数载流子浓度小于第二外延层的多数载流子浓度。上述垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件，采用多层外延的结构，通过调整外延层的浓度关系，在保证器件耐压的基础上降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件，包括如下结构：衬底；外延层，设于所述衬底上；阱区，由所述外延层背对衬底的一面延伸至外延层内部；源区，由所述阱区表面延伸至内部；栅氧层，设于所述外延层上且仅覆盖外延层的一部分；栅极区，设于所述栅氧层上；玻璃层，设于所述栅极区和所述阱区上，且仅覆盖所述栅极区和阱区的一部分；以及金属电极层，覆盖于所述外延层、栅极区及玻璃层上；其特征在于，所述外延层包括设于所述衬底上的第一外延层和设于所述第一外延层上的第二外延层；所述第一外延层的多数载流子浓度小于所述第二外延层的多数载流子浓度。
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