[发明专利]一种非自对准工艺形成的半导体器件及其方法在审
| 申请号： | 201110226861.8 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102931140A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才 | 申请（专利权）人： | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 郑瑜生 |
| 地址： | 410003 湖南省长沙市长沙经*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种非自对准沟道工艺形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成半导体层，所述半导体层由隔离区隔离开；进行重掺杂离子注入，以在半导体层内形成重掺杂区，然后进行高温退火激活掺杂离子；在所述半导体层上形成栅极区。其后进行CMOS器件工艺流程，沉积器件间绝缘层，形成器件接触塞等。本发明提出的上述方案，简化了芯片制造工艺，降低了成本，从而形成价格低且质量高的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 工艺 形成 半导体器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种非自对准工艺形成半导体器件的方法，所述方法包括：A、提供半导体衬底；B、在所述半导体衬底内形成半导体层，所述半导体层由隔离区隔离开；C、进行重掺杂离子注入，以在半导体层内形成重掺杂区；D、在所述半导体层上形成栅极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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