[发明专利]场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法有效
| 申请号： | 201110226985.6 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102375015A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | R.菲克斯;D.孔茨;A.克劳斯;A.马丁;D.卡尔歇尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法。提出了一种场效应气体传感器（100，200，250，300，400，500，600，1020），其具有对于至少一种预先确定的气体可透过的多孔电极层（110，310，410，510，610）。此外，该场效应气体传感器包括至少一个与电极层邻接的介电体层（120、210、220、230、240、320、430、520、540、620、660），所述介电体层具有不同于SiO2的材料。最后，该场效应气体传感器包括由金属或半导体材料构成的后部电极（150，330，420，440，530，640），其中后部电极在与电极层对置的那侧上与所述介电体层邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 气体 传感器 用于 制造 方法 探测 | ||
【主权项】：
一种场效应气体传感器（100，200，250，300，400，500，600，1020），具有如下特征：对于至少一种预先确定的气体可透过的多孔电极层（110，310，410，510，610）；至少一个与电极层邻接的介电体层（120、210、220、230、240、320、430、520、540、620、660），所述介电体层具有不同于SiO2和Si3N4的材料；以及由金属或半导体材料构成的后部电极（150，330，420，440，530，640），其中后部电极在与电极层对置的那侧上与所述介电体层邻接。
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