[发明专利]具有三维存储单元阵列的非易失性存储器件

摘要

公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：三维存储单元阵列，其包括多个存储单元，所述多个存储单元排列成堆叠于衬底上的多个存储单元阵列层，从而使多个字线从最靠近衬底的最低存储单元阵列层跨越所述多个存储单元阵列层延伸到最远离衬底的最高存储单元阵列层；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时将第一电压信号施加到所述多个字线当中的被选字线以及将第二电压信号施加到所述多个字线当中的未选字线，其中，所述被选字线和所述未选字线具有不同的电阻，并且在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。