[发明专利]生长氧原硅酸盐的切克拉斯基方法中的热梯度控制方法在审
| 申请号： | 201110227937.9 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102560670A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | M·S·安德烈亚科;P·肖普里齐恩斯基;A·A·凯里 | 申请（专利权）人： | 美国西门子医疗解决公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C09K11/79;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;林森 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了生长氧原硅酸盐的切克拉斯基方法中的热梯度控制方法。具体地，本发明涉及一种制造LSO闪烁体的方法，该LSO闪烁体具有高光输出和短衰减时间。在一实施方式中，该方法包括将LSO共掺杂铈和来自元素周期表第IIA或IIB族中的另一掺杂剂。掺杂水平可进行选择以在比文献报导范围更宽的范围内(在约～30ns直到约～50ns之间)调节闪烁脉冲的衰减时间，具有改善的光输出和均匀性。在另一实施方式中，掺杂剂的相对浓度进行选择以获得期望的光输出和衰减时间，同时保证晶体生长的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 硅酸盐 克拉 方法 中的 梯度 控制 | ||
【主权项】：
从具有通式Ln2xA2yLu2(1‑x‑y)SiO5的组成的熔体中生长单晶闪烁体材料的方法，其中Ln基本上由一种或多种镧系元素、一种或多种锕系元素或其组合组成，A基本上由元素周期表中的一种或多种IIA或IIB族元素或其任何组合组成，所述方法包括：选择生长的单晶材料所欲获得的包含端点在内的约30ns到约50ns之间的荧光衰减时间；基于欲获得的衰减时间，确定x和y之间的相对数值，其中x大于或等于0.00001并小于或等于0.1，y大于或等于0.00001并小于或等于0.1以便从熔体中获得单晶闪烁体材料的稳定生长；和从具有x和y之间的所述相对数值的熔体中生长单晶闪烁体材料。
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