[发明专利]防静电保护电路有效

专利信息
申请号: 201110228121.8 申请日: 2011-08-10
公开(公告)号: CN102280872A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 许刚 申请(专利权)人: 上海山景集成电路技术有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 叶琦玲
地址: 200135 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种防静电保护电路,包括第一二极管、第二二极管、第一PMOS管及第二PMOS管;第一二极管的阳极连接第一输入源,第二二极管的阳极连接第二输入源,两者的阴极相连,并在连接处形成第一分接点与第一PMOS管中与其衬底相连的源极(s1)连接,且同时与第二PMOS管中与其衬底相连的源极(s2)连接,而第一PMOS管的漏极(d1)连接第二输入源,其栅极(g1)通过一电容连接第二输入源,且其栅极(g1)还通过一电阻连接第一输入源,第二PMOS管的栅极(g2)通过一电阻连接第二输入源,且其栅极(g2)还通过一电容连接第一输入源,其漏极(d2)连接第一输入源;其中,第一或第二输入源为信号源。由此,以避免输入信号摆幅超过电源电压或低于地时被钳位的问题。
搜索关键词: 静电 保护 电路
【主权项】:
一种防静电保护电路,其特征在于,包括:第一二极管(D1),其具有阳极和阴极,其阳极连接第一输入源;第二二极管(D2),其具有阳极和阴极,其阳极连接第二输入源,其阴极与所述第一二极管的阴极连接,并在连接处形成第一分接点(a);第一PMOS管(M1),其具有源极(s1)、栅极(g1)、漏极(d1)和衬底,其衬底同其源极(s1)相连后与所述第一分接点(a)连接,其栅极(g1)通过一电容(C1)与所述第二输入源连接,且其栅极还通过一电阻(R1)连接所述第一输入源,其漏极(d1)连接所述第二输入源;以及第二PMOS管(M2),其具有源极(s2)、栅极(g2)、漏极(d2)和衬底,其衬底同其源极(s2)相连后通过所述第一分接点(a)与所述第一PMOS管的源极(s1)连接,其栅极(g2)通过一电阻(R2)与所述第二输入源连接,且其栅极(g2)还通过一电容(C2)连接所述第一输入源,其漏极(d2)连接所述第一输入源;其中,第一输入源与第二输入源中的其中一者为信号源(VIN)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海山景集成电路技术有限公司,未经上海山景集成电路技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110228121.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top