[发明专利]防止晶片滑片的化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 201110228134.5 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102922411A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 范怡平;曾明;李万山;蔡宗成 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;高为 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止晶片滑片的化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法包括研磨前准备步骤，在所述研磨前准备步骤被延长为包括第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤，在第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤中，卡环（RR）的压力参数设置大于膜片（MM）的压力参数设置。该CMP方法可实现防止晶片滑片，并且方法简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 晶片 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，包括研磨前准备步骤，其特征在于，在所述研磨前准备步骤被延长为包括第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤，在第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤中，卡环的压力参数设置大于膜片的压力参数设置。
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