[发明专利]微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110228409.5 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102386072A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 小松立;神保安弘;宫入秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;李雪春 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个方式是如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种微晶半导体膜的制造方法，包括如下步骤：在绝缘膜上形成包括其间设有空隙的混合相微粒的晶种；在所述晶种上形成第一微晶半导体膜，以使所述混合相微粒生长而填埋设在所述混合相微粒之间的空隙；以及在所述第一微晶半导体膜上形成第二微晶半导体膜，而不扩大设在所述第一微晶半导体膜所包含的所述混合相微粒之间的空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
