[发明专利]一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备与应用有效
| 申请号： | 201110228844.8 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102391787A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 孔慧;刘卫丽;宋志堂;汪海波 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B29/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201506 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域，涉及一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液包括如下重量百分含量的组分：磨料20-40wt%、1,2-丙二胺0.5-5wt%、季铵盐或者季铵碱0.5-5wt%、水50-79wt%；所述抛光液中大于等于0.56 m的大颗粒数为20万颗/ml-80万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明的抛光液具有抛光速度快，表面缺陷少（无划伤和拉丝等不良现象），抛光后硅片表面易清洗等优点，特别适合硅单晶片的粗抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 抛光 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种用于硅单晶片抛光的抛光液，包括如下重量百分含量的组分：磨料20‑40wt％、1，2‑丙二胺0.5‑5wt％、季铵盐或者季铵碱0.5‑5wt％、水50‑79wt％；所述抛光液中大于等于0.56μm的大颗粒数为20万颗/ml‑80万颗/ml。
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